化學(xué)純度是影響薄膜材料性能的關(guān)鍵因素，高純金屬原材料是靶材生產(chǎn)制造的基礎(chǔ)。高純金屬提純分為化學(xué)提純和物理提純，在實際應(yīng)用中，通常使用多種物理、化學(xué)手段聯(lián)合提純實現(xiàn)高純材料的制備。我國雖然擁有豐富的有色金屬礦產(chǎn)資源，但我國高純金屬制備技術(shù)與國外相比仍存在一定差距，高純金屬有較重需從國外***。大部分國家范圍內(nèi)，高純金屬產(chǎn)業(yè)集中度較高，美、日等國家的高純金屬生產(chǎn)商依托先進的提純技術(shù)在整個產(chǎn)業(yè)鏈中居于十分有利的地位，具有較強的議價能力。高純?yōu)R射靶材是伴隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展而興起的，集成電路產(chǎn)業(yè)是目前高純?yōu)R射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。受困于 2008 年爆發(fā)的危機，大部分國家半導(dǎo)體市場 2009 年陷入一體衰退。此后，大部分國家半導(dǎo)體市場迅速反彈。自 2011 年起，大部分國家半導(dǎo)體市場進入平穩(wěn)增長期。半導(dǎo)體材料的市場規(guī)模也隨著整個半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模的增長而增長。       影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應(yīng)氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調(diào)整反應(yīng)氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到舒緩，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全中毒，在靶面上沉積一層化合金屬膜。使其很難被再次反應(yīng)。nb。 反應(yīng)磁控濺射制備化合物薄膜的優(yōu)點：1.所用靶材和反應(yīng)氣體是氧、氮、碳氫化合物等，通常容易獲得高純度制品，有利于制備高純度的化合物薄膜;2.通過調(diào)節(jié)工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，從而可調(diào)控膜的特性;3.基板溫度不高，對基板限制少;4.適于大面積均勻鍍膜，實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。      一般來說，利用濺射進行鍍膜有幾個特點：（1）金屬、合金或絕緣物均可做成薄膜材料。（2）在適當?shù)脑O(shè)定條件下可將多元復(fù)雜的靶材制作出同一組成的薄膜。（3）利用放電氣氛中加入氧或其它的活性氣體，可以制作靶材物質(zhì)與氣體分子的混合物或化合物。     不足頭發(fā)絲直徑五百分之一，以實現(xiàn)半導(dǎo)體金屬的物理化學(xué)性能，稱為薄膜。半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，制造材料包括硅片（37%）、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、P拋光材料、以及靶材等；（39%）、引線框架、樹脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。在國內(nèi)占據(jù)了大部分中等和要求不高的靶材市場份額。國內(nèi)靶材公司的發(fā)展趨勢如何？目前大部分國家高等靶材市場主要分布于韓國、、中國、日本，主要供應(yīng)商在日本，韓國。中國市場目前年消耗ITO靶材約300噸，但處于快速增長之中，多條高世代液晶面板線（京東方，華星光電，惠科HKC，天馬，熊貓電子，蘇州，LG廣州等）正在建設(shè)或規(guī)劃建設(shè)中。廣州市建設(shè)“中國制造2025”試點示范城市實施方案里面的“重點領(lǐng)域及方向”的第（二）條“新一代信息技術(shù)”提出“加快構(gòu)建以高世代面板和新型顯示為核心的新一代顯示技術(shù)研發(fā)體系和產(chǎn)業(yè)鏈。       旋轉(zhuǎn)靶材相對于平面靶材具有很多的優(yōu)點，I)利用率高(70%以上)。甚至可以達到90%;2)濺射速度快，為平面靶的2-3倍；3)有效地減少打弧和表面掉渣，工藝穩(wěn)定性好坐寸ο對于旋轉(zhuǎn)鍍膜靶材，要求旋轉(zhuǎn)靶`材為單根整體，或分段焊接在同一襯管上。以目前技術(shù)條件，旋轉(zhuǎn)靶材的制備方法主要包括熱等靜壓法、熱壓燒結(jié)法和澆鑄法，以上工藝各有優(yōu)缺點，但是對不同尺寸的靈活控制難以滿足，尤其是熱壓燒結(jié)法只能生產(chǎn)長度為300mm以內(nèi)的單支靶材，因此只能通過多節(jié)分段焊接固定在襯管上以達到一定的長度要求，這樣增加了生產(chǎn)的步驟,提高了靶材生產(chǎn)的成本。等離子噴涂旋轉(zhuǎn)靶材，是將金屬或非金屬噴涂粉在等離子焰流中加熱到熔化或半熔化狀態(tài)。濺射。       科技日報：ITO靶材屬于35項卡脖子技術(shù)之一。UVTM掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實施極其嚴格的保密措施，限制技術(shù)擴散，同時不斷進行橫向擴張和垂直整合，將業(yè)務(wù)觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個應(yīng)用領(lǐng)域。研制出適用不同應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材產(chǎn)品，才能在大部分國家濺射靶材市場中占得一席之地。UVTM自主創(chuàng)新開發(fā)的能力，TFT-LCD用高品質(zhì)ITO靶材，正式投入量產(chǎn)。自此，靶材的國外技術(shù)壁壘，在顯示面板產(chǎn)業(yè)重要材料國產(chǎn)化的道路上又前進了一步。廣州以打造“世界顯示之都”的目標，重點領(lǐng)域包括顯示器及配套（含濺射靶材），打造千億級平板顯示產(chǎn)業(yè)集群。中國已經(jīng)成為面板、半導(dǎo)體、光伏、觸摸屏等光電行業(yè)的制造大國和強國，對新材料有巨大的自身需求。預(yù)計2022年大部分國家顯示面板整體規(guī)模將超1300億美元，LCD面板占比約70%。中小尺寸OLED滲透率快速提升，大尺寸LCD占據(jù)主流。       UVTM擁有廣東省“科技小巨人”企業(yè)稱號、“廣東省省鎢鉬深加工工程實驗室”、“深圳市鎢鉬靶材工程技術(shù)研究中心”、“深圳市鎢鉬深加工工程研究中心”、“深圳市鎢鉬深加工研發(fā)中心”、“深圳市企業(yè)技術(shù)中心”、“廣東省鎢鉬靶材及硬質(zhì)合金新材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”盟主稱號，與國內(nèi)多所高校、研究院所建立了良好的產(chǎn)學(xué)研合作關(guān)系，為公司技術(shù)研發(fā)提供良好的服務(wù)平臺，提高企業(yè)科研創(chuàng)新活力。濺射黃頁。       氧化錫銻(ATO)具有以下不錯的性能。導(dǎo)電性，均勻分散的導(dǎo)電納米超微粒子的相互作用形成導(dǎo)電膜，導(dǎo)電膜中電荷移動可實現(xiàn)高透射率和防靜電（30Ω.cm2），透明性，ATO納米超微粒子對可視光（380nm-780nm）的吸收率極弱，而且對可視光難以散射的大小粒子組成，所以有著高的透明性。隔紅外、隔紫外、防輻射性能，能有效地阻止紅外輻射和紫外線輻射，阻隔紅外效果達80%以上，阻隔紫外效果達65%以上。朝純靶材。靶材是高速荷能粒子轟擊的目標材料，故靶材也叫濺射靶材（純度：99.9%-99.999%），具有較高的技術(shù)壁壘。銀是目前使用廣泛的導(dǎo)電層薄膜材料之一。和超大規(guī)模集成電路芯片的制造對濺射靶材金屬純度的要求相比。